Questões IF-RS
Engenharia e Arquitetura
7 questões de provas da IF-RS, com gabarito definitivo.
Engenharia e ArquiteturaOutros temas· 2018· Instituto Federal - Rio Grande do Sul
Para o amplificador diferencial discreto na figura a seguir: Considerando α = 1, VCEsat = 0 e VBE = 0,7V, o valor aproximado da tensão no coletor do transistor Q1 (Vo1), os valores aproximados das tensões nos emissores…
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Para o amplificador transistorizado com transistor MOSFET na figura a seguir: 2 Considerando Vtn = 1V, kn’(W/L) = 2 mA/V , que o efeito da modulação de comprimento do canal seja nulo, o valor da tensão entre dreno e fon…
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Em relação às afirmações sobre os materiais tipo p e n utilizados na fabricação dos semicondutores: I. Os semicondutores tipo p e n são obtidos a partir do silício intrínseco com a adição de impurezas, sendo que o silíc…
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Em relação aos efeitos da temperatura para o diodo semicondutor, são feitas as seguintes afirmações: I. Na região de polarização direta, a curva característica de um diodo de silício desvia-se para a esquerda a uma taxa…
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A figura (a) a seguir apresenta um circuito com diodo semicondutor ideal que possui um resistor R e uma fonte de corrente contínua com tensão V volt, sendo que na entrada vi do circuito é aplicada uma forma de onda seno…
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Para o amplificador transistorizado com transistor bipolar de junção na figura a seguir: Considerando o β =20, VBE = 0,7V e VCEsat = 200mV empregando a análise exata, isto é, sem desprezar a corrente de base, o valor ap…
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No circuito com amplificador operacional ideal representado na figura abaixo, vi1 é a entrada de sinal 1, vi2 é a entrada de sinal 2, vi3 é a entrada de sinal 3 e vo é a saída do circuito. O amplificador operacional é a…
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