Questão de Engenharia e Arquitetura

Em relação às afirmações sobre os materiais tipo p e n utilizados na fabricação dos semicondutores: I. Os semicondutores tipo p e n são obtidos a partir do silício intrínseco com a adição de impurezas, sendo que o silício tipo n é obtido a partir da adição de um dopante pentavalente, tornando o material eletricamente negativo enquanto que o silício tipo p é obtido pela adição de um dopante trivalente, tornando o material eletricamente positivo. II. Em relação aos portadores majoritários e minoritários, em um material tipo n o número de lacunas não se altera significativamente a partir do nível intrínseco, ao passo que em material tipo p, o número de lacunas é muito maior que o número de elétrons. III. A adição de impurezas afeta a condutividade relativa devido aos elétrons livres no semicondutor tipo n e das lacunas no semicondutor tipo p, sendo que isso pode ser explicado pelo critério das bandas de energia, onde verifica-se que há a diminuição da banda proibida em ambos os casos. Assinale a alternativa em que toda(s) a(s) afirmativa(s) está(ão) CORRETA(S):