Durante o processo de dopagem utilizado… (Marinha 2025)

FísicaOutros temasMarinha 2025

Marinha

Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.

APossui excesso de lacunas como portadores majoritários, devido à adição de átomos trivalentes.BA condutividade diminui com a introdução de impurezas doadoras.CApresenta elétrons livres como portadores majoritários, provenientes da dopagem com elementos pentavalentes.DTransforma o silício em um isolante, pois impede o movimento de cargas.EOs portadores minoritários são elétrons livres, responsáveis pela condução elétrica. • Prova: Amarela Eletrônica

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Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.