Question

Em medidas de microscopia de tunelamento de varredura, é possível determinar a corrente de tunelamento I em função da dI posição da ponta de prova, mapear no espaço real e coletar o dI dV espectro de em função do potencial V aplicado. A respeito dV desse assunto, é correto afirmar que

Accepted Answer

C) a topografia de uma amostra é determinada pelos valores da dI corrente de tunelamento I, em função da posição, e , em dV função do potencial entre a ponta de prova, fornece o espectro da LDOS.

Answer

A) a topografia de uma amostra é determinada pelos valores da dI corrente de tunelamento I em função da posição e fornece o mapa de densidade eletrônica. dV

Answer

B) a topografia de uma amostra é determinada pelos valores do dI mapeamento no espaço real de , e a densidade de estados dV local LDOS (local density of state) é determinada pelo dI espectro de em função do potencial aplicado entre a ponta dV de prova e a superfície da amostra.

Answer

D) o espectro da LDOS é determinado pela integral de densidade de estados eletrônicos em função de I.

Answer

E) a LDOS é determinada pela integral de densidade eletrônica em função do potencial de 0 até V. Texto para as questões de 93 a 96 Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

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