Engenharia e ArquiteturaEletrônica de potênciaDES IFSUL 2013
IF SUL
Questão de Engenharia e Arquitetura
8
Em relação aos dispositivos semicondutores de potência, são feitas as seguintes afirmações: I. O IGBT é um disposto que mescla as características de baixa queda de tensão no estado ligado do BJT com as características de chaveamento e a alta impedância de entrada do MOSFET. II. O tiristor MOS (MCT) é um dispositivo que combina as características do MOSFET e do SCR. III. O TRIAC é um dispositivo capaz de conduzir corrente em um único sentido, semelhante a um diodo. IV. Em relação ao SCR normal, o GTO é um dispositivo que apresenta um tempo de desligamento maior, uma queda de tensão menor no estado ligado e corrente de fuga maior. Está(ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s)
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Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.