Em um transistor bipolar de porta isola… (FADE UFPE 2014)

Questões de Engenharia e Arquitetura · FADE UFPE

Engenharia e ArquiteturaEletrônica de potênciaFADE UFPE 2014

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Em um transistor bipolar de porta isolada, IGBT, combina-se o transistor MOSFET com o transistor bipolar. O IGBT é um dispositivo semicondutor que funciona como chave eletrônica rápida de sinais elétricos de grandes potências. Com relação ao IGBT, pode-se afirmar que:

Aapresenta problemas de travamento (latch-up).Bsofre um processo de avalanche destrutiva (secondary breakdown).Cpode ser usado para gerar sinais com formas de onda complexas.Ddeve ser usado com taxas de pulso baixas.Ese não controlado, ocorre um processo de fuga térmica (thermal runaway).

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Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.