Questões de Engenharia e Arquitetura · DES IFSUL
Engenharia e ArquiteturaTransistoresDES IFSUL 2012
IF SUL
Questão de Engenharia e Arquitetura
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Sobre o transistor MOS do tipo enriquecimento, são feitas as seguintes afirmações: I. O potencial aplicado ao terminal de substrato (VB) altera o valor de sua tensão de limiar (Vt). II. O transistor encontra-se na região de saturação, quando polarizado com seus terminais de porta e dreno unidos. III.A corrente de dreno (ID) chega a zero, quando a tensão porta-fonte (VGS) for inferior à sua tensão de limiar (Vt). Estão corretas as afirmativas
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Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.