Questões de Engenharia e Arquitetura · CPCC UFES
Engenharia e ArquiteturaTransistoresCPCC UFES 2012
UFES
Questão de Engenharia e Arquitetura
No circuito ao lado, os dois transistores possuem o mesmo valor de β e VBE, β=99 e VBE=0,75V respectivamente, R3=8kΩ, R2=1kΩ, R1=10Ω. Pede-se determinar: a impedância vista na base de Q1, sinalizada por R, e o valor de R4 que permite a máxima excursão simétrica no coletor de Q2, respectivamente:
Mais questões de Transistores
- Selecon 2026Uma diferença fundamental entre transistores BJT e CMOS é que:
- Selecon 2026Em um circuito com transistor NPN (emissor aterrado), o coletor é ligado a +10 V por um resistor R = 1 kΩ e a base é C ligada a +5 V por um resistor RB = 100 kΩ. Considere VBE ≈ 0…
- Cebraspe 2026Considerando-se a polarização por divisor de tensão e os valores dos componentes fornecidos, é correto afirmar que a tensão coletor-emissor do transistor (VCE) situa-se em um inte…
- Selecon 2026Em uma situação de projeto há necessidade de se alterar em 180 graus a fase de um sinal analógico. Uma forma de realizar essa operação é com transistor BJT:
- Cebraspe 2026iC = 0,5 mA.
Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.


