Questão de Engenharia e Arquitetura

A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley: VD I = I (enVT−1) D S Sabe-se que IS é a corrente de saturação reversa, kT VT = é a tensão térmica e n é o fator de q idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com I = 10−12A, n = 1, conduzindo uma S corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será