Questões de Engenharia e Arquitetura · Instituto AOCP
Engenharia e ArquiteturaOutros temasInstituto AOCP 2026
IF CE
Questão de Engenharia e Arquitetura
O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de saturação, desprezando-se efeito de modulação do comprimento de canal, é: 1 I = k (V − V )2 D n GS T 2 2 Considere um MOSFET com kn = 0, 4A/V , VT = 2V, operando com VGS = 6V. Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Mais questões de Outros temas
- FundatecEntre as vantagens da implantação de sistemas de Desenvolvimento Orientado ao Transporte (DOT) estão a redução do tempo de , otimização do uso de e serviços, contenção do horizont…
- FGVUm engenheiro deseja fabricar uma peça que utiliza uma liga de aço-carbono de alto teor de carbono. Uma das possibilidades é fabricar pelo processo de fundição, mas ele precisa av…
- FundatecDurante a análise estrutural de um edifício, verificou-se que uma viga secundária descarrega sua reação de apoio diretamente sobre uma viga principal, em uma região próxima ao mei…
- FGVUm sistema de distribuição ocorreu um curto-circuito em uma das fases para o terra. A tensão de base no local da falta é de 380 V e a tensão de pré-falta igual a 342 V. O somatóri…
- FGVUma barra de aço, com módulo de elasticidade E igual a 200 GPa, com seção quadrada de lado igual a 40 mm e comprimento igual a 1 m, é submetida a uma força axial de 160 kN. O alon…
Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.