Questões de Engenharia e Arquitetura · Fundatec

Engenharia e ArquiteturaOutros temasFundatec 2025

Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Amazonas - IFAM Concurso Público nº

Questão de Engenharia e Arquitetura

Execução: Fundatec 04 – ENGENHEIRO – ÁREA ELÉTRICA 968_CE_04_NS_DM 17/03/2025 14:54:37

Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas. ( ) Baixa impedância de entrada. ( ) Maior imunidade a ruído. ( ) Menor estabilidade térmica. ( ) Fabricação relativamente simples. A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

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Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.