Questões de Física · FGV
FísicaSemicondutores, diodos e transistoresFGV 2026
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Questão de Física
Devido a uma falha no processo de fabricação de uma junção PN de silício, o lado P ficou sem dopagem. Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 1010e/cm3 e o número de doadores do lado N igual a 3 x 1016/cm3, a voltagem na barreira de potencial dessa junção é de aproximadamente (Obs: constante de Boltzman (k) = 1,38 x 10-23 J/K; carga do elétron (q) = 1,6 x 10-19 C; ln(3)≈1,1 e ln(10)≈2,3)
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Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.

