Questões de Engenharia e Arquitetura · NCE e FUJB (UFRJ)
Engenharia e ArquiteturaTransistoresNCE e FUJB (UFRJ) 2011
UFRJ
Questão de Engenharia e Arquitetura
Concurso Público UFRJ Página 9
No circuito abaixo Vcc = 12 Volts, R1 = 39,0 kΩ, R2 = 4, 7 kΩ, R3 = 1,0 kΩ e R4 = R5 = 5,6 kΩ. O sinal Vi(t) é senoidal com uma frequência em que os capacitores têm reatâncias desprezíveis e o transistor apresenta os parâmetros hie = 1,0 kΩ, hre = 0,0, hoe = 0,0 S e hfe= 300.

O valor mais próximo para o módulo do ganho [Vs(t)/Vi(t)] é:
Mais questões de Transistores
- Selecon 2026Uma diferença fundamental entre transistores BJT e CMOS é que:
- Selecon 2026Em um circuito com transistor NPN (emissor aterrado), o coletor é ligado a +10 V por um resistor R = 1 kΩ e a base é C ligada a +5 V por um resistor RB = 100 kΩ. Considere VBE ≈ 0…
- Cebraspe 2026Considerando-se a polarização por divisor de tensão e os valores dos componentes fornecidos, é correto afirmar que a tensão coletor-emissor do transistor (VCE) situa-se em um inte…
- Selecon 2026Em uma situação de projeto há necessidade de se alterar em 180 graus a fase de um sinal analógico. Uma forma de realizar essa operação é com transistor BJT:
- Cebraspe 2026iC = 0,5 mA.
Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.


