Questão de Física

Uma célula solar a base de semicondutores, por exemplo, de silício ou arseneto de gálio, pode ser modelada pela equação de um diodo ideal em que a variação da corrente pelo diodo em função da tensão é dada por: qV I(V) = Ipℎ − Is [ exp ( ) − 1] kBT Onde, Ipℎ é a corrente foto-gerada, Is é a corrente de saturação do diodo, q é a carga do elétron, kB é a constante de Boltzmann e T é a temperatura. Avalie a tensão no diodo em circuito aberto (a uma mesma temperatura T) com relação a variação da densidade de corrente de saturação e da densidade de corrente foto-gerada em função do bandgap de energia de acordo como apresentada nos gráficos abaixo. Considere também os valores do bandgap do silício (Eg≈1,12 eV) e o bandgap de energia do arseneto de gálio (Eg≈1,42 eV).

Com base nestas considerações, analise as afirmações a seguir: I. O silício apresenta maior tensão em circuito aberto do que o arseneto de gálio pois a densidade de corrente foto-gerada diminui com o aumento do bandgap. II. O Arseneto de Gálio apresenta maior tensão em circuito aberto do que o silício pois a densidade de corrente de saturação diminui expressivamente com o aumento do bandgap de energia. III. O silício apresenta menor tensão em circuito aberto do que o arseneto de gálio porque sua densidade de corrente de saturação é maior, o que reduz a razão Ipℎ/Is. Das afirmações acima, está(ão) CORRETA(S) apenas: