FísicaSemicondutores, diodos e transistoresNCE e FUJB (UFRJ) 2011
UFRJ
Questão de Física
Concurso Público UFRJ Página 11
No circuito deste item o diodo D é usado como sonda para medida da temperatura absoluta T, através da medida da tensão Vo(T) referida ao ponto de aterramento, isto é, Vo(T) é uma função da temperatura no diodo. O transistor Q é de silício, o diodo D é de germânio, e Dz é um diodo Zener, de tensão Zener Vz = 4,7 Volts. A corrente de saturação inversa do diodo é constante. Excetuando-se o diodo D, todos os outros componentes do circuito estão a uma temperatura constante.
Podemos afirmar que, sendo “C” uma constante, a tensão Vo(T) é uma função que mais se aproxima da forma:
Mais questões de Semicondutores, diodos e transistores
- DEPSEC UNIFAP 2026Uma equipe de engenheiros eletricistas da Universidade Federal do Amapá (UNIFAP) desenvolveu um sistema fotovoltaico isolado que atende uma comunidade ribeirinha no interior do Es…
- Cebraspe 2026α = 1/50.
- FGV 2026Uma ponte retificadora de onda completa é utilizada para converter corrente alternada (CA) em corrente contínua (CC). Sobre seu funcionamento, assinale a afirmativa correta.
- FGV 2026Considere o circuito abaixo que utiliza um transistor NPN (Q1) com a configuração de polarização por divisor de tensão. Com relação a este amplificador, é corretol afirmar que
- Vunesp 2026Considere o circuito da figura a seguir. do transistor na região ativa: VBE = 0,7 V e β = 50. Assinale a alternativa que mais se aproxima da tensão de saída Vo no ponto quiescente.
Questão de prova oficial, com o gabarito definitivo publicado pela banca. Reproduzida para fins de estudo.