Questão de Física

Considere um MOSFET NMOS de canal longo, com fonte e substrato conectados (V = 0), operando em regime DC com V = 0,8 V, V = 0,6 V e V = 0,5 V. Mede-se I = 1,0 mA. Admita o modelo em saturação com modulação de comprimento de canal, em que: g ≈ 2I /V , com V = V − V , e r ≈ 1/(λI ). m D OV OV GS TH o D Considere λ = 0,10 V-¹ e um resistor R = 10 kΩ ligado ao dreno D (configuração fonte comum), desprezando capacitâncias. A região de operação e os valores aproximados de g , r e do ganho de m o pequeno-sinal A = v /v são: v out in