Question

O silício, Si, considerado um semicondutor, em sua forma pura, apresenta uma resistividade muito alta (2,5x103 Ω.m), a qual o torna com comportamento de um isolante, e, nestas condições, inviável para aplicações em circuitos eletrônicos. Essa resistividade pode ser reduzida de forma controlada, pela adição de pequenas quantidades de “impurezas” químicas ao semicondutor, processo chamado de dopagem eletrônica. A resistividade do Si, após dopagens tipo n com fósforo (8,7x10-3 Ω.m) e tipo p com alumínio (2,8x10-3 Ω.m), possibilita sua utilização para fins de aplicações em eletrônica, dada melhor resposta na sua condutividade. A dopagem pode ser feita durante o crescimento do cristal, por liga, por difusão térmica e implantação iônica. Quanto às técnicas de dopagens é correto afirmar que:

Accepted Answer

B) na técnica por implantação iônica, íons ou moléculas ionizadas de elementos dopantes são acelerados e feitos colidir com o substrato a ser dopado.

Answer

A) na técnica de dopagem por crescimento do cristal, o material de base sofre um resfriamento, onde ocorre a formação de massa cristalina.

Answer

C) na dopagem por liga, o material de base é levado à solidificação, formando uma liga que caracteriza o material semicondutor.

Answer

D) a técnica de difusão térmica se baseia no movimento espontâneo das partículas de regiões de baixa concentração para regiões de alta concentração.

Answer

E) o processo de implantação iônica requer altas temperaturas, sendo tipicamente usado em processos de junção do tipo p-n profundas.

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