Question

Em um laboratório de controle de processo de semicondutores, uma lâmina de silício puro a 300 K será usada na fabricação de dispositivos. Assuma que a concentração intrínseca do silício nessa temperatura é ni = 1010 cm–3. A lâmina foi dopada apenas com fósforo (P) na concentração Nd = 1016 cm–3, com dopantes totalmente ionizados. Assinale a alternativa que apresenta valores aproximados para as concentrações de elétrons n e lacunas p no equilíbrio térmico.

Accepted Answer

E) n ≈ 104 cm–3 e p ≈ 1016 cm–3 VGua2503/002-asa-ii-eletônicaeletroeletrônica 10 confidencial até o momento da aplicação.

Answer

A) n ≈ 1016 cm–3 e p ≈ 104 cm–3

Answer

B) n ≈ 1016 cm–3 e p ≈ 1020 cm–3

Answer

C) n ≈ 1016 cm–3 e p ≈ 106 cm–3

Answer

D) n ≈ 1010 cm–3 e p ≈ 1010 cm–3

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